Ingénieur introduisant des wafers de silicium dans un réacteur ALD. @Argonne National Labs

Fluorures et dépôt chimique en phase vapeur

Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l’anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs en phase gaz.

De nombreux fluorures liquides ou gazeux à température ambiante sont utilisés comme précurseurs de dépôts de couches minces, notamment dans le domaine des semi-conducteurs.

Les fluorures de tungstène, de molybdène et de rhénium sont des produits très utilisés pour la réalisation de revêtements réfractaires capables de résister à des températures élevées.
Les fluorures de germanium ou de phosphore sont avantageusement utilisés en implantation ionique en lieu et place de leurs équivalents hydrogénés (la phosphine, PH3, est un gaz très toxique).

Les fluorures de titane, TiF4, et de tantale, TaF5, permettent d’obtenir des couches minces de fluorures de métaux alcalins et de terres rares (CaF2, MgF2, LaF3, YF3…) de meilleure qualité et plus rapidement qu’avec l’acide fluorhydrique communément utilisé.

D’une manière générale, les fluorures de haute valence sont plus légers que leurs correspondants chlorés et peuvent être mis en oeuvre plus facilement que ces derniers. Ils peuvent toutefois présenter une valeur d’énergie de dissociation plus importante. Par exemple, le point de fusion du chlorure de tantale, TaCl5, est de 216°C, tandis que celui du fluorure de tantale, TaF5, est de 96.8°C. Mais l’énergie de dissociation de ce dernier est 1,2 fois plus élevée que celle du dérivé chloré.

Notre offre

Retrouvez nos fluorures de métaux et terres rares dans la liste de produits fluorés

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